‘GaN’ लष्करी तंत्रज्ञानात डीआरडीओचा ब्रेकथ्रू,

भारताने संरक्षण तंत्रज्ञानाच्या क्षेत्रात अशी ऐतिहासिक कामगिरी केली आहे की जगभरात त्याची दखल घेतली जात आहे. संरक्षण संशोधन आणि विकास संस्था (DRDO) मधील शास्त्रज्ञ मीना मिश्रा यांनी अत्यंत गोपनीय आणि लष्करी दर्जाच्या गॅलियम नायट्राइड (GaN) तंत्रज्ञानात मोठा ब्रेकथ्रू साधला आहे. या यशामुळे भारत GaN चिप्स तयार करणारा जगातील सातवा देश ठरला आहे.

GaN तंत्रज्ञान इतके महत्त्वाचे का आहे, हे समजून घेणे गरजेचे आहे. GaN म्हणजे गॅलियम नायट्राइड – एक अत्याधुनिक सेमीकंडक्टर. पारंपरिक सिलिकॉन चिप्सपेक्षा GaN चिप्स अधिक शक्तिशाली, अधिक वेगवान आणि जास्त तापमान सहन करणाऱ्या असतात. त्यामुळे या चिप्सचा वापर अत्याधुनिक रडार प्रणाली, क्षेपणास्त्रे, ड्रोन, इलेक्ट्रॉनिक वॉरफेअर आणि उपग्रह दळणवळण यांसारख्या महत्त्वाच्या लष्करी यंत्रणांमध्ये केला जातो.
हे ही वाचा:
रविवारी शेअर बाजाराला सुट्टी नाही, अर्थसंकल्पामुळे बाजार राहणार सुरू

यूजीसीच्या नव्या नियमांवर सर्वोच्च न्यायालयाच्या स्थगितीचा निर्णय योग्यच!

याच कारणामुळे जगातील काही मोजकेच देश हे तंत्रज्ञान आपल्यापुरते मर्यादित ठेवत होते. अनेक देशांना भीती होती की GaN तंत्रज्ञान भारताला मिळाल्यास भारताची लष्करी ताकद प्रचंड वाढेल आणि जागतिक सामरिक संतुलनावर त्याचा परिणाम होईल. त्यामुळे भारताने फ्रान्सकडून राफेल लढाऊ विमाने खरेदी केली, तरीही हे महत्त्वाचे तंत्रज्ञान भारताला देण्यात आले नव्हते.

मात्र आता भारताने कोणावरही अवलंबून न राहता स्वतःच्या बळावर हे तंत्रज्ञान विकसित केले आहे. डीआरडीओच्या शास्त्रज्ञांनी सातत्यपूर्ण संशोधन, कठोर चाचण्या आणि स्वदेशी नवकल्पनांच्या माध्यमातून GaN चिप्स यशस्वीपणे विकसित केल्या आहेत. यामुळे परदेशी तंत्रज्ञानावरील अवलंबित्व मोठ्या प्रमाणात कमी होणार आहे.

या यशाचा सर्वात मोठा फायदा भारतीय सशस्त्र दलांना होणार आहे. भविष्यातील रडार अधिक अचूक असतील, क्षेपणास्त्रे अधिक प्रभावी ठरतील आणि संरक्षण उपकरणे अधिक शक्तिशाली बनतील. मीना मिश्रा आणि त्यांच्या टीमच्या या यशामुळे भारताने संरक्षण तंत्रज्ञानाच्या जागतिक शर्यतीत मोठी आघाडी घेतली असून, हा क्षण देशासाठी अभिमान आणि आत्मनिर्भरतेचा नवा अध्याय ठरत आहे.